Winbond SLC NAND 8 GB Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA, W29N08GZBIBA

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB868.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB929.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 56 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 52THB868.74
53 - 104THB847.03
105 +THB833.99

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
188-2657
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
W29N08GZBIBA
ผู้ผลิต:
Winbond
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Winbond

Product Type

Flash Memory

Memory Size

8GB

Interface Type

Parallel

Package Type

VFBGA

Pin Count

63

Organisation

1024 x 8 bit

Maximum Clock Frequency

40MHz

Mount Type

Surface

Cell Type

SLC NAND

Maximum Supply Voltage

1.95V

Minimum Supply Voltage

1.7V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Standards/Approvals

No

Height

0.6mm

Length

11.1mm

Width

11.1 mm

Maximum Random Access Time

25μs

Number of Bits per Word

8

Number of Words

1024K

Series

W29N08GZ

Automotive Standard

No

Density : 8Gbit (2 chip stacked solution)

Vcc : 1.7V to 1.95V

Bus width : x8/x16

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 8G-bit/1G-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

1,056 words (1024 + 32 words)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

64 pages (64K + 2K words)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 35ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP feature

Contact Winbond for Block Lock feature

Lowest power consumption

Read: 13mA(typ.)

Program/Erase: 13mA(typ.)

CMOS standby: 20uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

8Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง