Winbond SLC NAND 1 GB Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA, W29N01HVBINF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB819.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB877.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 105 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 50THB163.996THB819.98
55 - 100THB159.898THB799.49
105 +THB157.438THB787.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
188-2794
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
W29N01HVBINF
ผู้ผลิต:
Winbond
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Winbond

Memory Size

1GB

Product Type

Flash Memory

Interface Type

Parallel

Package Type

VFBGA

Pin Count

63

Organisation

128M x 8 Bit

Mount Type

Surface

Cell Type

SLC NAND

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Supply Voltage

2.7V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Length

11.1mm

Standards/Approvals

No

Height

0.6mm

Width

11.1 mm

Maximum Random Access Time

25μs

Number of Words

128M

Number of Bits per Word

8

Supply Current

35mA

Automotive Standard

No

Series

W29N01HV

Density : 1Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 1G-bit/128M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Copy Back

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V),

Program/Erase: 25mA(typ.3V),

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

48-ball VFBGA

63-ball VFBGA

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง