onsemi NST65010MW6T1G Transistor, -100 mA PNP, -65 V, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 920-9887
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NST65010MW6T1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB434.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB465.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 700 | THB4.346 | THB434.60 |
| 800 - 1400 | THB4.238 | THB423.80 |
| 1500 + | THB4.172 | THB417.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 920-9887
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NST65010MW6T1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -100mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -65V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -80V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 0.9 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 380mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 100MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -5V | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -100mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -65V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -80V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 0.9 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 380mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 100MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -5V | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual Matched Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (VBE) and Current Gain (hFE).
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- Nexperia BC856BS -100 mA PNP 6-Pin SOT-363
- Nexperia Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- Nexperia BCM856BS -100 mA PNP 6-Pin SOT-363
- Nexperia Transistor 65 V, 6-Pin SOT-363
- Nexperia BC846BPN 100 mA NPN + PNP 6-Pin SOT-363
- onsemi Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- onsemi BC856BDW1T1G Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363