onsemi KSC5502DTM Transistor, 2 A NPN, 600 V, 3-Pin DPAK
- RS Stock No.:
- 806-4513
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- KSC5502DTM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB279.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB298.81
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB27.926 | THB279.26 |
| 630 - 1240 | THB27.226 | THB272.26 |
| 1250 + | THB26.809 | THB268.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 806-4513
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- KSC5502DTM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 2A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 1200V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 8 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 12V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 10.41mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | KSC5502D | |
| Width | 4.83 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 2A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 1200V | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 8 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 12V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 10.41mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series KSC5502D | ||
Width 4.83 mm | ||
Automotive Standard No | ||
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Transistor 600 V, 3-Pin DPAK
- onsemi Transistor 50 V, 3-Pin DPAK
- onsemi NJD2873T4G Transistor 50 V, 3-Pin DPAK
- onsemi NJVNJD2873T4G Transistor 50 V, 3-Pin DPAK
- ROHM Transistor 80 V, 3-Pin DPAK
- Nexperia Bipolar Transistor 50 V, 3-Pin DPAK
- ROHM 2SCR574D3TL1 Transistor 80 V, 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics MJD112T4 Transistor 100 V, 3-Pin DPAK