MPN

Toshiba RN1105(TE85L,F) Digital Transistor, 100 mA NPN, 50 V, 3-Pin ESM

RS Stock No.:: 540-6532
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RN1105(TE85L,F)
ผู้ผลิต:: Toshiba

Toshiba RN1105(TE85L,F) Digital Transistor, 100 mA NPN, 50 V, 3-Pin ESM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB25.17

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26.93

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 20	THB5.034	THB25.17
25 - 120	THB4.91	THB24.55
125 - 245	THB4.79	THB23.95
250 - 495	THB4.67	THB23.35
500 +	THB4.552	THB22.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 540-6532
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RN1105(TE85L,F)
ผู้ผลิต:: Toshiba

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Toshiba
	Product Type	Digital Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	100mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	50V
	Package Type	ESM
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	50V
	Maximum Transition Frequency ft	250MHz
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	80
	Maximum Power Dissipation Pd	100mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	1.6mm
	Height	0.7mm
	Series	RN1105
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Toshiba
	Product Type Digital Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 100mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V
	Package Type ESM
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 50V
	Maximum Transition Frequency ft 250MHz
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 80
	Maximum Power Dissipation Pd 100mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 1.6mm
	Height 0.7mm
	Series RN1105
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Transistor with Built-in Resistor, BRT Series, Toshiba

Built-in bias resistors, use of fewer parts enables device size reduction and space-saving assembly

Wide resistance-value range makes product suitable for diverse applications

Complementary to products from RN1101 / RN2101 to RN1118 / RN2118

Applications: switching, inverter circuits, interface circuits, driver circuits

SSM package

Digital Transistors, Toshiba

Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

Toshiba RN1105(TE85L,F) Digital Transistor, 100 mA NPN, 50 V, 3-Pin ESM

Transistor with Built-in Resistor, BRT Series, Toshiba

Digital Transistors, Toshiba

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง