Nexperia PBSS5480X,135 Transistor, -4 A PNP, -80 V, 4-Pin UPAK
- RS Stock No.:
- 518-2006
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS5480X,135
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB150.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB161.22
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 990 | THB15.067 | THB150.67 |
| 1000 - 1990 | THB14.691 | THB146.91 |
| 2000 + | THB14.464 | THB144.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 518-2006
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS5480X,135
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -4A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -80V | |
| Package Type | UPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 80V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 80 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 125MHz | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | PBSS5480X | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 4.6mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 2.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -4A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V | ||
Package Type UPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 80V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 80 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Transition Frequency ft 125MHz | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series PBSS5480X | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 4.6mm | ||
Height 1.5mm | ||
Width 2.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.