Nexperia PBSS5320T,215 Transistor, -2 A PNP, -20 V, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 518-1924
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS5320T,215
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB85.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB91.07
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB8.511 | THB85.11 |
| 750 - 1490 | THB8.297 | THB82.97 |
| 1500 + | THB8.17 | THB81.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 518-1924
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS5320T,215
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -2A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 100 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.2W | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 100MHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Series | PBSS5320T | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -2A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 100 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.2W | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Transition Frequency ft 100MHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 3mm | ||
Height 1.1mm | ||
Series PBSS5320T | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.