Toshiba TBC847B,LM(T Bipolar Transistor, 200 mA NPN, 50 V, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 500 ชิ้น)*

THB585.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB625.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 40,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
500 - 500THB1.17THB585.00
1000 - 1000THB1.053THB526.50
1500 - 2500THB1.032THB516.00
3000 +THB0.957THB478.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
236-3587
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TBC847B,LM(T
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

200mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

60V

Maximum Power Dissipation Pd

320mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

6V

Minimum DC Current Gain hFE

200

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Series

TBC847

Length

2.9mm

Height

0.95mm

Width

2.4 mm

Automotive Standard

No

The Toshiba bipolar transistor MADE up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.

Storage temperature range −55 to 150 °C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง