Toshiba TBC847B,LM(T Bipolar Transistor, 200 mA NPN, 50 V, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 236-3587
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TBC847B,LM(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 500 ชิ้น)*
THB585.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB625.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 39,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | THB1.17 | THB585.00 |
| 1000 - 1000 | THB1.053 | THB526.50 |
| 1500 - 2500 | THB1.032 | THB516.00 |
| 3000 + | THB0.957 | THB478.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 236-3587
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TBC847B,LM(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 200mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 50V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 60V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 200 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 2.9mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Series | TBC847 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 200mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 60V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 200 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 2.9mm | ||
Height 0.95mm | ||
Series TBC847 | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba bipolar transistor MADE up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.
Storage temperature range −55 to 150 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Bipolar Transistor 50 V, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Transistor 50 V, 3-Pin SOT-23
- onsemi Transistor 50 V, 3-Pin SOT-23
- onsemi MMBT6428LT1G Transistor 50 V, 3-Pin SOT-23
- Nexperia 2PD601BRL 200 mA NPN 3-Pin SOT-23
- STMicroelectronics Bipolar Transistor 1400 V, 3-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STN0214 Bipolar Transistor 1400 V, 3-Pin SOT-223
- Toshiba 2SC4116-GR(TE85L 150 mA NPN 3-Pin SOT-323