Renesas Electronics HFA3096BZ Transistor, 65 mA NPN + PNP, 8 V, 16-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, จัดส่งในหลอด)*

THB2,400.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,569.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 456 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
5 - 9THB480.19
10 +THB443.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
235-5230P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
HFA3096BZ
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Renesas Electronics

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

8V

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Dual

Transistor Polarity

NPN + PNP

Maximum Power Dissipation Pd

150mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Pin Count

16

Length

9.9mm

Standards/Approvals

No

Width

6mm

Series

HFA3096

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics HFA3096 is an ultra high frequency transistor array that is fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process. The HFA3096 is an NPN-PNP combination. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of these transistor arrays provides close electrical and thermal matching of the five transistors

NPN transistor (fT) 8GHz

NPN current gain (hFE) is 130

NPN early voltage (VA) is 50V

PNP transistor (fT) is 5.5GHz

PNP current gain (hFE) is 60

PNP early voltage (VA)is 20V

Noise figure (50Ω) at 1.0GHz is 3.5dB

Collector to collector leakage <1pA

Complete isolation between transistors