STMicroelectronics Bipolar Transistor, 8 A NPN, 450 V, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 188-8449P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BUL1102EFP
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB728.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB779.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,630 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 20 | THB36.439 |
| 30 + | THB35.878 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8449P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BUL1102EFP
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 8A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 450V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 12V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 12 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.6mm | |
| Height | 30.6mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Series | BUL1102E | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 8A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 450V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 12V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 12 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.6mm | ||
Height 30.6mm | ||
Length 10.4mm | ||
Series BUL1102E | ||
Automotive Standard No | ||
This is a high voltage fast switching NPN power transistor manufactured in multi epitaxial Planar technology. It uses a cellular emitter structure with Planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.
Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand a high collector current level during breakdown condition, without using the Transil™ protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.
High voltage capability
Very high switching speed
Applications
Four lamp electronic ballast for:
120 V mains in push-pull configuration
277 V mains in half bridge current feed configuration