onsemi NSBC114EDXV6T1G Digital Transistor, 50 V NPN 100 mA Surface SOT-563, 6-Pin
- RS Stock No.:
- 186-8954
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSBC114EDXV6T1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB125.875
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB134.675
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 10,525 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 975 | THB5.035 | THB125.88 |
| 1000 - 1975 | THB4.909 | THB122.73 |
| 2000 + | THB4.834 | THB120.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8954
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSBC114EDXV6T1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | SOT-563 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 50V | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 50V | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100mA | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 35 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 10V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 0.25V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 6 | |
| Length | 2.2mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type SOT-563 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 50V | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100mA | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 35 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 10V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 0.25V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 6 | ||
Length 2.2mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
Simplifies Circuit Design
Reduces Board Space
Reduces Component Count
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free