onsemi FDMC86262P Digital Transistor P-Channel Surface, 8-Pin
- RS Stock No.:
- 186-8211P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMC86262P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB28,497.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,492.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- 2,850 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1490 | THB37.996 |
| 1500 + | THB37.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8211P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMC86262P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Transistor Polarity | P-Channel | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.72mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.3mm | |
| Series | PowerTrench | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Transistor Polarity P-Channel | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.72mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.3mm | ||
Series PowerTrench | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
This P-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on- state resistance and optimizad for superior switching performance.
Max rDS(on) = 307 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2 A
Max rDS(on) = 356 mΩ at VGS = -6 V, ID = -1.8 A
Very Low rDS(on) Mid Voltage P-Channel Silicon Technology Optimised for Low Qg
Optimised for Fast Switching Applications as well as Load Switch Applications
Applications
Industrial
Portable and Wireless