onsemi BUL45D2G Transistor, 10 A NPN, 400 V, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
186-8032
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BUL45D2G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

10A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

400V

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

700V dc

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

12V dc

Transistor Polarity

NPN

Maximum Transition Frequency ft

1MHz

Minimum DC Current Gain hFE

7

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.75mm

Length

10.53mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The BUL45D2 is state-of-art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread 150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window.

Low Base Drive Requirement

High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA

Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread

Integrated Collector-Emitter Free Wheeling Diode

Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)

"6 Sigma" Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads

Pb-Free Package is Available

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง