onsemi Digital Transistor, 80 V NPN Through Hole TO-220, 3-Pin

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,357.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,452.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB27.142THB1,357.10
100 - 150THB26.327THB1,316.35
200 +THB25.537THB1,276.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
186-7368
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BDX53BG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Digital Transistor

Package Type

TO-220

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

80V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V

Minimum DC Current Gain hFE

750

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Length

10.53mm

Height

9.28mm

Series

BDX53B

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX53B, BDX53C, BDX54B and BDX54C are complementary devices.

High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

Collector Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C

Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc

Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors

TO-220AB Compact Package

Pb-Free Packages are Available

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง