onsemi BDX33BG Digital Transistor, 80 V dc NPN Through Hole TO-220, 3-Pin
- RS Stock No.:
- 186-7894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BDX33BG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB250.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB267.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB25.033 | THB250.33 |
| 20 - 20 | THB24.407 | THB244.07 |
| 30 + | THB24.032 | THB240.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-7894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BDX33BG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 80V dc | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 80V dc | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 750 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V dc | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.53mm | |
| Height | 9.28mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V dc | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 80V dc | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 750 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.53mm | ||
Height 9.28mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX33B, BDX33C, BDX34B and BDX34C are complementary devices.
High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0
Collector-Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX33B, 34B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C
Low Collector-Emitter Saturation Voltage CE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 Adc BDX33B, 33C/34B, 34C
Monolithic Construction with Build-In Base-Emitter Shunt resistors
TO-220AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available