onsemi FDG6321C Dual Digital Transistor, 6-Pin SC-70

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
186-7153
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDG6321C
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Package Type

SC-70

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

300 mW

Pin Count

6

Number of Elements per Chip

2

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.

N-Ch

0.50 A, 25 V

RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V

RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V

P-Ch

-0.41 A, -25 V

RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V

RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V

Very small package outline SC70-6.

Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V).

Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model).

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง