onsemi 2N6284G Transistor, 40 A NPN, 100 V dc, 3-Pin TO-204

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB1,604.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,716.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 110 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 20THB160.46THB1,604.60
30 - 40THB156.447THB1,564.47
50 +THB154.042THB1,540.42

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
184-4703
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-30-679
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
2N6284G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

100V dc

Package Type

TO-204

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

100V dc

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Transition Frequency ft

1MHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

100

Maximum Operating Temperature

200°C

Pin Count

3

Length

39.37mm

Standards/Approvals

No

Width

26.67mm

Series

2N6284

Height

20.7mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MX
The Power 20A 100 V PNP Darlington Transistors is designed for general-purpose amplifier and low-frequency switching applications.

High DC Current Gain @ IC = 10 Adc

hFE = 2400 (Typ) - 2N6284

hFE = 4000 (Typ) - 2N6287

Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)

Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง