onsemi NSS60601MZ4T1G Transistor, 6 A NPN, 60 V, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 184-1178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSS60601MZ4T1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB399.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB427.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | THB15.998 | THB399.95 |
| 250 - 475 | THB15.598 | THB389.95 |
| 500 + | THB15.358 | THB383.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-1178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSS60601MZ4T1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 6A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 6V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 50 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 800mW | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 6A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 50 | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 800mW | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The combination of low saturation voltage and high gain makes this Bipolar Transistor an Ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High DC Current Gain
High Current-Gain Bandwidth Product
Superior gain linearity
These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free
Minimized power loss
Very low current requirements
Ideal for high frequency designs
Minimal distortion
Applications:
Linear voltage regulation
Power management for portable devices
Switching regulator
Inductive load driver (e.g. motors, fans, relays)
Linear controls