onsemi Transistor, -10 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 184-1139P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJF45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 15 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB998.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,068.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 180 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 15 - 20 | THB66.562 |
| 25 + | THB65.536 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-1139P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJF45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -80V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 20MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 40 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 190μm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.18mm | |
| Length | 420μm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 20MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 40 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 190μm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.18mm | ||
Length 420μm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage--VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
