onsemi MJF45H11G Transistor, -10 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 184-1139
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJF45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB328.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB351.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 85 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB65.74 | THB328.70 |
| 15 - 20 | THB64.098 | THB320.49 |
| 25 + | THB63.11 | THB315.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-1139
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJF45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -80V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 40 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 20MHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 0.42mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.18mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Minimum DC Current Gain hFE 40 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Maximum Transition Frequency ft 20MHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 0.42mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.18mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage--VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
