onsemi MJF45H11G PNP Transistor, -10 A, -80 V, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 184-0971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJF45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,425.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,525.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 150 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB28.50 | THB1,425.00 |
| 100 - 150 | THB27.88 | THB1,394.00 |
| 200 + | THB27.261 | THB1,363.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-0971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJF45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Transistor Type | PNP | |
| Maximum DC Collector Current | -10 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Maximum Power Dissipation | 36 W | |
| Minimum DC Current Gain | 60 | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 20 MHz | |
| Pin Count | 3 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Dimensions | 10.63 x 4.9 x 16.12mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Transistor Type PNP | ||
Maximum DC Collector Current -10 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage -80 V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Maximum Power Dissipation 36 W | ||
Minimum DC Current Gain 60 | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Emitter Base Voltage 5 V | ||
Maximum Operating Frequency 20 MHz | ||
Pin Count 3 | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Dimensions 10.63 x 4.9 x 16.12mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage--VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi MJF45H11G PNP Transistor -80 V, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics D45H11 PNP Transistor -80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi D45H11G PNP Transistor -80 V, 3-Pin TO-220AB
- onsemi 2N6388G NPN Darlington Transistor 3-Pin TO-220
- onsemi 2N6388G NPN Darlington Transistor 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MJE2955T PNP Transistor -60 V, 3-Pin TO-220
- onsemi D44H11G NPN Transistor 80 V, 3-Pin TO-220AB
- onsemi TIP32BG PNP Transistor -80 V, 3-Pin TO-220