onsemi NSVS1001CLTWG Bipolar Transistor, -2.5 A PNP, -100 V, 8-Pin LFPAK8
- RS Stock No.:
- 333-398
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSVS1001CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*
THB187.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB200.66
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 20 + | THB9.377 | THB187.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 333-398
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSVS1001CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -2.5A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -100V | |
| Package Type | LFPAK8 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -120V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.2W | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -7V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 140 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 200MHz | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Pin Count | 8 | |
| Width | 3.3 mm | |
| Series | NSS1001CL | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -2.5A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -100V | ||
Package Type LFPAK8 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -120V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.2W | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -7V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 140 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 200MHz | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Pin Count 8 | ||
Width 3.3 mm | ||
Series NSS1001CL | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The ON Semiconductor PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for high-speed switching and power applications. It features a collector-emitter voltage of -100V and a continuous collector current of -2.5A, making it suitable for automotive and industrial applications.
Low Collector to Emitter Saturation Voltage
AEC Q101 qualified
LFPAK8 package
Pb Free and Halogen Free
RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NSVS1002CLTWG NPN Bipolar Transistor 100 V dc, 3-Pin LFPAK8
- onsemi NSS1002CLTWG PNP Bipolar Transistor 100 V, 8-Pin LFPAK8
- onsemi NSS1001CLTWG PNP Bipolar Transistor -100 V, 8-Pin LFPAK8
- onsemi BCP5310MTWG PNP Bipolar Transistor -80 V, 3-Pin WDFNW3
- onsemi NST807CMTWFTBG PNP Bipolar Transistor -45 V, 3-Pin XDFNW3
- onsemi BCP53MTWG PNP Bipolar Transistor -80 V, 3-Pin WDFNW3
- onsemi BCP5316MTWG PNP Bipolar Transistor -80 V, 3-Pin WDFNW3
- onsemi NSVBCP5310MTWG PNP Bipolar Transistor -80 V, 3-Pin WDFNW3
