onsemi NSS1002CLTWG Bipolar Transistor, 2.5 A NPN, 100 V, 8-Pin LFPAK8
- RS Stock No.:
- 333-378
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSS1002CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*
THB170.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB182.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 20 + | THB8.511 | THB170.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 333-378
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSS1002CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 2.5A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 100V | |
| Package Type | LFPAK8 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 120V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 200MHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.2W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 140 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 6.5V | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3.3 mm | |
| Series | NSS1002CL | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 2.5A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V | ||
Package Type LFPAK8 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 120V | ||
Maximum Transition Frequency ft 200MHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.2W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 140 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6.5V | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3.3 mm | ||
Series NSS1002CL | ||
Standards/Approvals Pb-Free, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The ON Semiconductor NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for high-speed switching and power applications. It features a collector-emitter voltage of 100V and a continuous collector current of 2.5A, making it suitable for automotive and industrial applications.
Low Collector to Emitter Saturation Voltage
AEC Q101 qualified
LFPAK8 package
Pb Free and Halogen Free
RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NSVS1002CLTWG Bipolar Transistor 100 V, 8-Pin LFPAK8
- onsemi NSVS1001CLTWG Bipolar Transistor -100 V, 8-Pin LFPAK8
- onsemi NSS1001CLTWG Bipolar Transistor -100 V, 8-Pin LFPAK8
- Diodes Inc Transistor 20 V, 8-Pin Surface Mount
- Diodes Inc ZHB6718TA Transistor 20 V, 8-Pin Surface Mount
- Toshiba 2SC5692(TE85L 2.5 A NPN 3-Pin TSM
- ROHM Bipolar Transistor 120 V, 3-Pin DFN2020-3S
- ROHM 2SCR567F3TR Bipolar Transistor 120 V, 3-Pin DFN2020-3S
