STMicroelectronics 2STF2360 Transistor, 3 A PNP, -60 V, 3-Pin SOT-89
- RS Stock No.:
- 151-452P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2STF2360
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB3,446.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,688.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,120 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 480 | THB17.234 |
| 500 - 980 | THB15.961 |
| 1000 - 1980 | THB14.688 |
| 2000 + | THB14.145 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-452P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2STF2360
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 3A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -60V | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | PNP | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -60V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 160 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.4W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 2.29mm | |
| Height | 4.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 3A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -60V | ||
Package Type SOT-89 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration PNP | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -60V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 160 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.4W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 2.29mm | ||
Height 4.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics PNP transistor manufactured using new power bipolar high density current technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Can be used in emergency lighting and voltage regulation applications
High current gain characteristic
Fast switching speed