STMicroelectronics 1, 47.6 V Zener Diode, Single 600 W Surface 2-Pin DO-214AA (SMB)

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB15,825.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,925.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
การประหยัด
2500 - 2500THB6.33THB15,825.00-
5000 - 7500THB6.14THB15,350.003%
10000 +THB5.956THB14,890.005%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
190-6779
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SM6T56CA
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Zener Diode

Nominal Zener Voltage Vz

47.6V

Diode Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Mount Type

Surface

Maximum Power Dissipation Pd

600W

Package Type

DO-214AA (SMB)

Zener Type

Bi-Directional

Pin Count

2

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Reverse Leakage Current

200nA

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.45mm

Series

SM

Length

3.95mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The SM6T Transil series are designed to protect sensitive equipment against electrostatic discharges and electrical overstress. These devices are more generally used against surges below 600 W (10/1000 μs). The Planar technology makes it suitable for high-end equipment and SMPS where low leakage current and high junction temperature are required to provide reliability and stability over time.SM6T are packaged in SMB.

Peak pulse power:

600 W (10/1000 μs)

4 kW (8/20 μs)

Stand-off voltage range: from 6.8 V to 220 V

Unidirectional and bidirectional types

Low leakage current:

0.2 μA at 25 °C

1 μA at 85 °C

Operating Tj max: 150 °C

High power capability at Tj max.:

515 W (10/1000 μs)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง