Infineon Silicon Junction, Single, 80 A, 3-Pin 650 V TO-247
- RS Stock No.:
- 218-4383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDW80C65D2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,312.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,474.01
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB77.072 | THB2,312.16 |
| 60 - 90 | THB75.396 | THB2,261.88 |
| 120 + | THB73.721 | THB2,211.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-4383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDW80C65D2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Silicon Junction | |
| Diode Configuration | Single | |
| Maximum Forward Current If | 80A | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Sub Type | Silicon Junction | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 36ns | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 180W | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 250A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 41.42mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Series | IDW80C65D2 | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Silicon Junction | ||
Diode Configuration Single | ||
Maximum Forward Current If 80A | ||
Mount Type Through Hole | ||
Sub Type Silicon Junction | ||
Package Type TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 36ns | ||
Maximum Power Dissipation Pd 180W | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 250A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 41.42mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Series IDW80C65D2 | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Rapid 1 series switching emitter controller power silicon diode in common cathode configuration and in a TO-247 package, allowing design optimization for more compact dimensions, easier assembly and consequently lower costs. It is used in various applications like in telecom, UPS, welding, adapter, home appliance and air condition. It has forward current of 80 A.
1.35 V temperature-stable forward voltage
Highest softness-factor for ultimate softness and low EMI filtering
Low reverse recovery charge
Low reverse recovery current
For applications switching between 18 kHz and 40 kHz
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW80C65D2XKSA1
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW40E65D2FKSA1
- Infineon Silicon Junction 15 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 60 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 30 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 75 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 40 A, 3-Pin 650 V TO-247