Infineon Silicon Junction, Single, 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW40E65D2FKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB1,222.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,308.24

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 210 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB40.755THB1,222.65
60 - 90THB39.869THB1,196.07
120 +THB38.984THB1,169.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-8929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IDW40E65D2FKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Diode Configuration

Single

Product Type

Silicon Junction

Maximum Forward Current If

80A

Mount Type

Through Hole

Sub Type

Silicon Junction

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

250A

Maximum Power Dissipation Pd

180W

Peak Reverse Recovery Time trr

83ns

Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Forward Voltage Vf

2.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

16.13mm

Height

21.1mm

Width

5.21 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Fast Switching Emitter Controlled Diodes, Infineon


The Infineon switching emitter controlled diodes are the Rapid 1 and the Rapid 2 families also the 600 V/1200 V Ultra-soft diodes. The diodes work in various applications from Telecom, UPS, welding, AC-DC and the Ultra-soft version works on motor drive applications up to 30 kHz.

Rapid 1 diode switches between 18kHz and 40kHz

1.35V temperature-stable forward voltage

Ideal for Power Factor Correction (PFC) topologies

The Rapid 2 diode switches between 40 kHz and 100 kHz

Low reverse recovery charge: forward voltage ratio for BiC performance

Low reverse recovery time

Low turn-on losses on the boost switch

Ultra-fast Diode 600 V/1200 V Emitter Controlled technology

Qualified according to JEDEC Standard

Good EMI behaviour

Low conduction losses

Easy paralleling

Diodes and Rectifiers, Infineon


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed