onsemi Switching Diode, Single, 23.4 A, 3-Pin 650 V TO-252
- RS Stock No.:
- 202-7286P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSD2065B
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 202-7286P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSD2065B
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Diode Configuration | Single | |
| Maximum Forward Current If | 23.4A | |
| Product Type | Switching Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Sub Type | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode | |
| Package Type | TO-252 | |
| Pin Count | 3 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 763A | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 10.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Diode Configuration Single | ||
Maximum Forward Current If 23.4A | ||
Product Type Switching Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Sub Type Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode | ||
Package Type TO-252 | ||
Pin Count 3 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 763A | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.4V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 10.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
The ON Semiconductor silicon carbide (Sic) Schottky diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor.
High surge current capacity
Positive temperature coefficient
Ease of paralleling