Vishay Silicon Junction, Common Cathode, 10 A, 3-Pin 200 V TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB30,866.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33,026.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 2000THB15.433THB30,866.00
4000 - 6000THB14.97THB29,940.00
8000 +THB14.521THB29,042.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-6369
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
VS-10CWH02FNTR-M3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Maximum Forward Current If

10A

Product Type

Silicon Junction

Diode Configuration

Common Cathode

Mount Type

Surface

Sub Type

Silicon Junction

Package Type

TO-252

Pin Count

3

Peak Reverse Recovery Time trr

27ns

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Forward Voltage Vf

1.15V

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

80A

Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

200V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.39mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

FRED Pt® Hyperfast Recovery Rectifiers


The FRED Pt® (Fast Recovery Epitaxial Diode) range of products from Vishay are hyperfast diodes containing PLATINUM (Pt) doping technology. This series offers extremely low leakage currents at high temperatures together with a high maximum junction operating temperature of 175°C. Typical recovery times are 35nds or less.

Range Features


Range Features

VRRM from 200V to 600V

Lowest Qrr at 125°C

Lowest VF at IF

Improved efficiency in Switched Mode power supplies

Soft recovery for reduced EMI at high dIF/dt

TJ (max) 175 °C

AEC-Q101 qualified

Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed