Infineon Silicon Junction, Single, 80 A, 2-Pin 650 V TO-220 IDP40E65D2XKSA1
- RS Stock No.:
- 145-8760
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDP40E65D2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,254.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,411.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | THB45.082 | THB2,254.10 | - |
| 100 - 150 | THB44.102 | THB2,205.10 | 2% |
| 200 + | THB43.122 | THB2,156.10 | 4% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-8760
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDP40E65D2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Silicon Junction | |
| Diode Configuration | Single | |
| Maximum Forward Current If | 80A | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Sub Type | Silicon Junction | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 250A | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 83ns | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 15.95mm | |
| Width | 4.5mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Silicon Junction | ||
Diode Configuration Single | ||
Maximum Forward Current If 80A | ||
Mount Type Through Hole | ||
Sub Type Silicon Junction | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 250A | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 83ns | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 15.95mm | ||
Width 4.5mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Fast Switching Emitter Controlled Diodes, Infineon
Diodes and Rectifiers, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Silicon Junction 80 A, 2-Pin 650 V TO-220 IDP40E65D2XKSA1
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW80C65D2XKSA1
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW40E65D2FKSA1
- Infineon Silicon Junction 60 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 60 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW30E65D1FKSA1
- Infineon Silicon Junction 15 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW15E65D2FKSA1
- Infineon Silicon Junction 40 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDFW40E65D1EXKSA1