Infineon Silicon Junction, Single, 80 A, 2-Pin 650 V TO-220
- RS Stock No.:
- 145-8760
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDP40E65D2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,051.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,195.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB41.036 | THB2,051.80 |
| 100 - 150 | THB40.144 | THB2,007.20 |
| 200 + | THB39.252 | THB1,962.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-8760
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDP40E65D2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Silicon Junction | |
| Diode Configuration | Single | |
| Maximum Forward Current If | 80A | |
| Sub Type | Silicon Junction | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 2 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 250A | |
| Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 83ns | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 15.95mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Silicon Junction | ||
Diode Configuration Single | ||
Maximum Forward Current If 80A | ||
Sub Type Silicon Junction | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 2 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 250A | ||
Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 83ns | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 15.95mm | ||
Length 10.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Fast Switching Emitter Controlled Diodes, Infineon
The Infineon switching emitter controlled diodes are the Rapid 1 and the Rapid 2 families also the 600 V/1200 V Ultra-soft diodes. The diodes work in various applications from Telecom, UPS, welding, AC-DC and the Ultra-soft version works on motor drive applications up to 30 kHz.
Rapid 1 diode switches between 18kHz and 40kHz
1.35V temperature-stable forward voltage
Ideal for Power Factor Correction (PFC) topologies
The Rapid 2 diode switches between 40 kHz and 100 kHz
Low reverse recovery charge: forward voltage ratio for BiC performance
Low reverse recovery time
Low turn-on losses on the boost switch
Ultra-fast Diode 600 V/1200 V Emitter Controlled technology
Qualified according to JEDEC Standard
Good EMI behaviour
Low conduction losses
Easy paralleling
Diodes and Rectifiers, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Silicon Junction 80 A, 2-Pin 650 V TO-220 IDP40E65D2XKSA1
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW80C65D2XKSA1
- Infineon Silicon Junction 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW40E65D2FKSA1
- Infineon Silicon Junction 15 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 40 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 60 A, 3-Pin 650 V TO-247
- Infineon Silicon Junction 30 A, 3-Pin 650 V TO-247