Infineon Silicon Junction, Single, 80 A, 2-Pin 650 V TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,051.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,195.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB41.036THB2,051.80
100 - 150THB40.144THB2,007.20
200 +THB39.252THB1,962.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-8760
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IDP40E65D2XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Forward Current If

80A

Product Type

Silicon Junction

Diode Configuration

Single

Mount Type

Through Hole

Sub Type

Silicon Junction

Package Type

TO-220

Pin Count

2

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Forward Voltage Vf

2.2V

Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Peak Reverse Recovery Time trr

83ns

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

250A

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.2mm

Width

4.5 mm

Height

15.95mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Fast Switching Emitter Controlled Diodes, Infineon


The Infineon switching emitter controlled diodes are the Rapid 1 and the Rapid 2 families also the 600 V/1200 V Ultra-soft diodes. The diodes work in various applications from Telecom, UPS, welding, AC-DC and the Ultra-soft version works on motor drive applications up to 30 kHz.

Rapid 1 diode switches between 18kHz and 40kHz

1.35V temperature-stable forward voltage

Ideal for Power Factor Correction (PFC) topologies

The Rapid 2 diode switches between 40 kHz and 100 kHz

Low reverse recovery charge: forward voltage ratio for BiC performance

Low reverse recovery time

Low turn-on losses on the boost switch

Ultra-fast Diode 600 V/1200 V Emitter Controlled technology

Qualified according to JEDEC Standard

Good EMI behaviour

Low conduction losses

Easy paralleling

Diodes and Rectifiers, Infineon


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed