Infineon Silicon Junction, Single, 30 A, 2-Pin 1200 V TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB4,128.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,417.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB82.574THB4,128.70
100 - 150THB80.097THB4,004.85
200 +THB77.694THB3,884.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-8584
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IDP30E120XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Silicon Junction

Diode Configuration

Single

Maximum Forward Current If

30A

Sub Type

Silicon Junction

Mount Type

Through Hole

Package Type

TO-220

Pin Count

2

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

102A

Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Peak Reverse Recovery Time trr

380ns

Maximum Forward Voltage Vf

2.15V

Maximum Power Dissipation Pd

138W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

15.95mm

Length

10.2mm

Automotive Standard

No

Fast Switching Emitter Controlled Diodes, Infineon


The Infineon switching emitter controlled diodes are the Rapid 1 and the Rapid 2 families also the 600 V/1200 V Ultra-soft diodes. The diodes work in various applications from Telecom, UPS, welding, AC-DC and the Ultra-soft version works on motor drive applications up to 30 kHz.

Rapid 1 diode switches between 18kHz and 40kHz

1.35V temperature-stable forward voltage

Ideal for Power Factor Correction (PFC) topologies

The Rapid 2 diode switches between 40 kHz and 100 kHz

Low reverse recovery charge: forward voltage ratio for BiC performance

Low reverse recovery time

Low turn-on losses on the boost switch

Ultra-fast Diode 600 V/1200 V Emitter Controlled technology

Qualified according to JEDEC Standard

Good EMI behaviour

Low conduction losses

Easy paralleling

Diodes and Rectifiers, Infineon


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง