Infineon 4 V 110 mA Diode Schottky 2-Pin SOD-323 BAT1503WE6327HTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB293.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB313.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 20THB14.65THB293.00
40 - 80THB13.159THB263.18
100 - 220THB11.843THB236.86
240 - 480THB10.674THB213.48
500 +THB9.591THB191.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
261-3915
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BAT1503WE6327HTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

SOD-323

Maximum Continuous Forward Current If

110mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Single

Series

BAT15-03W

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Reverse Current Ir

5μA

Maximum Forward Voltage Vf

0.32V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.5mm

Width

1.25 mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

RoHS compliant and halogen-free

Low capacitance and inductance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง