Infineon 650 V 8 A Rectifier & Schottky Diode 5-Pin PG-VSON-4 IDL08G65C5XUMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 10%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB132.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB141.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
การประหยัด
1 - 9THB132.02-
10 - 99THB118.5110%
100 - 249THB112.2814%
250 - 499THB97.3726%
500 +THB92.1830%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-0969
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IDL08G65C5XUMA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Rectifier & Schottky Diode

Mount Type

Surface

Package Type

PG-VSON-4

Maximum Continuous Forward Current If

8A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Series

IDL08G65C5

Pin Count

5

Maximum Forward Voltage Vf

1.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

43A

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

J-STD20 and JESD22

Automotive Standard

No

The Infineon 5th generation thinQ! SiC Schottky diode is proprietary diffusion soldering process, already introduced with G3 is now combined with a new, more compact design and thin-wafer technology. The result is a new family of products showing improved efficiency over all load conditions, resulting from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit. The new thinQ!™ generation 5 has been designed to complement our 650V CoolMOS families this ensures meeting the most stringent application requirements in this voltage range.

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide

Benchmark switching behaviour

No reverse recovery/ No forward recovery

Temperature independent switching behaviour

Enabling higher frequency / increased power density solutions

Higher system reliability due to lower operating temperatures

Reduced EMI

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง