Infineon 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK
- RS Stock No.:
- 258-0957
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDK04G65C5XTMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB28,645.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,650.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB28.645 | THB28,645.00 |
| 2000 - 2000 | THB27.786 | THB27,786.00 |
| 3000 + | THB26.674 | THB26,674.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0957
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDK04G65C5XTMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 4A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Series | IDK04G65C5 | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Reverse Current Ir | 500μA | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.2V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 215A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Diode | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 4A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Series IDK04G65C5 | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Reverse Current Ir 500μA | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.2V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 215A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 5th generation thinQ! SiC Schottky diode is proprietary diffusion soldering process, already introduced with G3 is now combined with a new, more compact design and thin-wafer technology. The result is a new family of products showing improved efficiency over all load conditions, resulting from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit. The new thinQ!™ generation 5 has been designed to complement our 650V CoolMOS families this ensures meeting the most stringent application requirements in this voltage range.
Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
Benchmark switching behaviour
No reverse recovery/ No forward recovery
Temperature independent switching behaviour
Enabling higher frequency / increased power density solutions
Higher system reliability due to lower operating temperatures
Reduced EMI
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK IDK04G65C5XTMA2
- Infineon 650 V 10 A Diode 2-Pin D2PAK
- STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK
- Infineon 650 V 10 A Diode 2-Pin D2PAK IDK10G65C5XTMA2
- STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK STPSC4H065B-TR
- Infineon 650 V 6 A Rectifier & Schottky Diode 3-Pin D2PAK
- Infineon 650 V 20 A Schottky Barrier Diode Schottky 10-Pin D2PAK
- Infineon 650 V 4 A Rectifier & Schottky Diode Rectifier Diode 2-Pin TO-220