Infineon 30 V 1 A Schottky Diode Schottky TSLP-2-7 BAS3010S02LRHE6327XTSA1

RS Stock No.:: 249-6967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BAS3010S02LRHE6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 30 V 1 A Schottky Diode Schottky TSLP-2-7 BAS3010S02LRHE6327XTSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 15000 ชิ้น)*

THB71,535.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB76,545.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
15000 - 15000	THB4.769	THB71,535.00
30000 - 30000	THB4.292	THB64,380.00
45000 +	THB3.863	THB57,945.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 249-6967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BAS3010S02LRHE6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Schottky Diode
	Mount Type	Surface
	Package Type	TSLP-2-7
	Maximum Continuous Forward Current If	1A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	30V
	Diode Configuration	Single
	Series	BAS3010S-02LRH
	Rectifier Type	Schottky
	Peak Reverse Current Ir	300μA
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	4A
	Maximum Forward Voltage Vf	650mV
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	0.6mm
	Length	1mm
	Height	4mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Schottky Diode
	Mount Type Surface
	Package Type TSLP-2-7
	Maximum Continuous Forward Current If 1A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 30V
	Diode Configuration Single
	Series BAS3010S-02LRH
	Rectifier Type Schottky
	Peak Reverse Current Ir 300μA
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 4A
	Maximum Forward Voltage Vf 650mV
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 0.6mm
	Length 1mm
	Height 4mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BAS3010S02LRHE6327XTSA1

Infineon BAS3010S-02LRH Series Schottky Diode, 1mm Length, 1A Max Continuous Forward Current - BAS3010S02LRHE6327XTSA1

This Schottky diode is a surface-mounted Schottky rectifier designed for use in temperature-variable and automotive electronic environments. It provides fast-switching rectification with a moderate forward voltage and is suitable for circuits requiring low-loss conduction and Compact package mounting.

Features and Benefits:

• 1 A continuous forward current reduces conduction losses in low-power circuits
• 650 mV maximum forward voltage lowers power dissipation during conduction
• 30 V Peak reverse rating permits use in low-voltage protection and rectification
• 4 A Peak non-repetitive surge current handles transient inrush events
• 300 μA Peak reverse leakage supports low-leakage reverse conditions
• −55 °C to 150 °C operating range allows operation across wide temperatures

Applications

• Suitable for automotive power-rail protection and rectification
• Used for high-speed switching in DC-DC converter outputs
• Ideal for low-voltage reverse-polarity protection circuits
• Can be used for transient absorption in sensor interfaces
• Suitable for Compact surface-mount power modules

What package style is used for Compact PCB mounting?

It comes in a TSLP-2 surface-mount package to enable space-efficient board placement.

How does it conform to environmental or manufacturing restrictions?

The component is RoHS-compliant, meeting restrictions on certain hazardous substances.

Is the device suitable for automotive qualification?

It is manufactured to an automotive standard that supports automotive-component requirements.

What configuration does the device present for circuit designers?

The part is a single-diode configuration for straightforward series or protection placement.