ROHM 200 V 2 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 2-Pin PMDE
- RS Stock No.:
- 246-3940P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFN2VWM2STFTR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 246-3940P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFN2VWM2STFTR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Rectifier & Schottky Diode | |
| Mount Type | Surface, Through Hole | |
| Package Type | PMDE | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 2A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 200V | |
| Series | RFN | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 20A | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 1.4mm | |
| Height | 2.7mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Rectifier & Schottky Diode | ||
Mount Type Surface, Through Hole | ||
Package Type PMDE | ||
Maximum Continuous Forward Current If 2A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 200V | ||
Series RFN | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 20A | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 1.4mm | ||
Height 2.7mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM RFN series is ultra fast recovery diode which have PMDE package and silicon epitaxial planar structure and can be used in general rectification application.
Low forward voltage
Low switching loss
High current overload capacity
