Infineon 1200 V 2 A Diode SiC Schottky 2-Pin DPAK

RS Stock No.:: 222-4826
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IDM02G120C5XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 1200 V 2 A Diode SiC Schottky 2-Pin DPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB100,460.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB107,492.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB40.184	THB100,460.00
5000 - 5000	THB38.638	THB96,595.00
7500 +	THB38.149	THB95,372.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4826
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IDM02G120C5XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Diode
	Mount Type	Surface
	Package Type	TO-252
	Maximum Continuous Forward Current If	2A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	1200V
	Diode Configuration	Silicon Carbide Schottky Diode
	Series	5th Generation thinQ!TM
	Rectifier Type	SiC Schottky
	Pin Count	2
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	37A
	Maximum Forward Voltage Vf	2.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	J-STD20 and JESD22
	Width	2.35 mm
	Length	6.65mm
	Height	10.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Diode
	Mount Type Surface
	Package Type TO-252
	Maximum Continuous Forward Current If 2A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1200V
	Diode Configuration Silicon Carbide Schottky Diode
	Series 5th Generation thinQ!TM
	Rectifier Type SiC Schottky
	Pin Count 2
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 37A
	Maximum Forward Voltage Vf 2.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals J-STD20 and JESD22
	Width 2.35 mm
	Length 6.65mm
	Height 10.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IDM02G120C5XTMA1

The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 2 A in a DPAK real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide

No reverse recovery current / No forward recovery

Temperature independent switching behavior

Low forward voltage even at high operating temperature

Tight forward voltage distribution

Excellent thermal performance

Extended surge current capability

Specified dv/dt ruggedness

Qualified according to JEDEC1) for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon 1200 V 2 A Diode SiC Schottky 2-Pin DPAK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง