STMicroelectronics 1.2 kV 20 A Diode 2-Pin D2PAK
- RS Stock No.:
- 201-0893P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC20H12G-TR
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 201-0893P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC20H12G-TR
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 20A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1.2kV | |
| Diode Configuration | Single | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.25V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 120A | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Peak Reverse Current Ir | 60μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 10.58mm | |
| Length | 15.95mm | |
| Height | 4.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Diode | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 20A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1.2kV | ||
Diode Configuration Single | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.25V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 120A | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Peak Reverse Current Ir 60μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 10.58mm | ||
Length 15.95mm | ||
Height 4.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics 1200V power schottky silicon carbide diode is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its Its high forward surge capability.
No or negligible reverse recovery
Switching behaviour independent of temperature
Robust high voltage periphery
Low VF
