onsemi 1.2 kV 46 A Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-247 FFSH30120A

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB808.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB865.12

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 552 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 7THB808.52
8 - 14THB788.31
15 +THB776.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

presentation
onsemi 1.2 kV 46 A Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-247
RS Stock No.
178-4269

Each (In a Tube of 30)

THB15,149.64

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,210.11

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:
178-4616
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FFSH30120A
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Mount Type

Through Hole

Product Type

Schottky Diode

Package Type

TO-247

Maximum Continuous Forward Current If

46A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1.2kV

Series

EliteSiC

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

1.5kA

Maximum Forward Voltage Vf

1.75V

Peak Reverse Current Ir

400μA

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.82mm

Diameter

6.85mm

Length

15.87mm

Standards/Approvals

RoHS, Pb-Free

Height

20.82mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D1, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 50 A, 1200 V, D1, TO-247-2L


Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Max Junction Temperature 175 °C

Positive Temperature Coefficient

Ease of Paralleling

No Reverse Recovery / No Forward Recovery

Applications

PFC

Industrial Power

Solar

EV Charger

UPS

Welding

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง