onsemi 650 V 18 A Diode Schottky 3-Pin DPAK FFSD1065A

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB783.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB838.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 4,985 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB156.66THB783.30
625 - 1245THB152.744THB763.72
1250 +THB150.394THB751.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

presentation
onsemi 650 V 18 A Diode Schottky 3-Pin DPAK
RS Stock No.
178-4263

Each (On a Reel of 2500)

THB166,557.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB178,216.52

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:
178-4415
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FFSD1065A
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

TO-252

Maximum Continuous Forward Current If

18A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

3

Peak Reverse Current Ir

600μA

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

760A

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Forward Voltage Vf

1.75V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 650 V, D1, DPAK
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 650 V, D1, DPAK


Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Max Junction Temperature 175 °C

High Surge Current Capacity

Positive Temperature Coefficient

No Reverse Recovery / No Forward Recovery

Applications

PFC

Industrial Power

Solar

EV Charger

UPS

Welding

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง