onsemi 650 V 18 A Diode Schottky 3-Pin DPAK FFSD1065A
- RS Stock No.:
- 178-4415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSD1065A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB598.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB640.59
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 4,990 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB119.736 | THB598.68 |
| 625 - 1245 | THB116.744 | THB583.72 |
| 1250 + | THB114.948 | THB574.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSD1065A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | TO-252 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 18A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 760A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.75V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Reverse Current Ir | 600μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type TO-252 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 18A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 760A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.75V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Reverse Current Ir 600μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 650 V, D1, DPAK
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 650 V, D1, DPAK
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
Max Junction Temperature 175 °C
High Surge Current Capacity
Positive Temperature Coefficient
No Reverse Recovery / No Forward Recovery
Applications
PFC
Industrial Power
Solar
EV Charger
UPS
Welding
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 650 V 18 A Diode Schottky 3-Pin DPAK
- onsemi 650 V 11.6 A Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK
- onsemi 650 V 9.1 A Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK
- onsemi 650 V 9.1 A Diode Schottky 3-Pin DPAK
- onsemi 650 V 11.6 A Diode Schottky 3-Pin DPAK
- onsemi 650 V 11.6 A Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK FFSD0865B-F085
- onsemi 650 V 9.1 A Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK FFSD0665B-F085
- onsemi 650 V 11.6 A Diode Schottky 3-Pin DPAK FFSD0865B