onsemi 1200 V 22.5 A Diode Schottky 3-Pin DPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
178-4262
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FFSD08120A
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

TO-252

Maximum Continuous Forward Current If

22.5A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

3

Peak Reverse Current Ir

400μA

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

530A

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Forward Voltage Vf

1.75V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.39mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 1200 V, D1, DPAK
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 1200 V, D1, DPAK


Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Max Junction Temperature 175 °C

High Surge Current Capacity

Positive Temperature Coefficient

Ease of Paralleling

No Reverse Recovery / No Forward Recovery

Applications

PFC

Industrial Power

Solar

EV Charger

UPS

Welding

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง