STMicroelectronics 1.2 kV 10 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK STPSC10H12GY-TR
- RS Stock No.:
- 163-9785P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10H12GY-TR
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB44,400.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,507.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 250 - 499 | THB177.60 |
| 500 + | THB174.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 163-9785P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10H12GY-TR
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (Vrrm) | 1.2 kV | |
| Maximum Continuous Forward Current (If) | 10 A | |
| Product Type | Diode | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101, AEC-Q101 | |
| Diode Configuration | Single | |
| Height | 4.6 mm | |
| Length | 10.4 mm | |
| Maximum Forward Voltage (Vf) | 2.25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175 °C | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Mount Type | Surface | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (Ifsm) | 420 A | |
| Peak Reverse Current (Ir) | 400 μA | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.35 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage (Vrrm) 1.2 kV | ||
Maximum Continuous Forward Current (If) 10 A | ||
Product Type Diode | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Package Type TO-263 | ||
Automotive Standard AEC-Q101, AEC-Q101 | ||
Diode Configuration Single | ||
Height 4.6 mm | ||
Length 10.4 mm | ||
Maximum Forward Voltage (Vf) 2.25 V | ||
Maximum Operating Temperature 175 °C | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Mount Type Surface | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (Ifsm) 420 A | ||
Peak Reverse Current (Ir) 400 μA | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.35 mm | ||
The SiC diode, available in TO-220AC and D²PAK, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Robust high voltage periphery
PPAP capable
Operating Temp. from -40 °C to 175 °C
