STMicroelectronics STDRIVEG611QTR High Side 4, High Side Power Switch IC 18-Pin, QFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Power Switch ICs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB118.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB126.54

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB118.26
10 - 99THB106.38
100 - 499THB97.97
500 - 999THB91.04
1000 +THB81.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
330-242
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STDRIVEG611QTR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Power Switch Type

High Side

Product Type

Power Switch IC

Power Switch Topology

High Side

Switch On Resistance RdsOn

3.7Ω

Number of Outputs

3

Number of Inputs

4

Minimum Supply Voltage

0.3V

Package Type

QFN

Pin Count

18

Maximum Supply Voltage

21V

Maximum Operating Temperature

125°C

Minimum Operating Temperature

-40°C

Operating Current

3.5mA

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1mm

Series

STDRIVEG611

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
The STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches is a high-voltage half-bridge gate driver for N‑channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600 V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.

High-side and low-side linear regulators for 6 V gate driving voltage

Fast high-side startup time 5 μs

45 ns propagation delay 15 ns minimum output pulse

High switching frequency (greater than 1 MHz)

Embedded 600 V bootstrap diode

Full support of GaN hard-switching operation

Comparator for overcurrent detection with Smart Shutdown

UVLO function on VCC, VHS, and VLS

Separated logic inputs and shutdown pin

Fault pin for overcurrent, over temperature and UVLO reporting

Stand-by function for low consumption mode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed