Infineon EB 2ED2410 3D 1BCD MOSFET Gate Driver for Gate Driver, Power MOSFET for Evaluation Mother/Daughterboards User
- RS Stock No.:
- 273-2059
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,153.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,443.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB4,153.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2059
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Power Management Function | MOSFET Gate Driver | |
| For Use With | Evaluation Mother/Daughterboards User Guide | |
| Kit Classification | Evaluation Board | |
| Featured Device | Gate Driver, Power MOSFET | |
| Kit Name | EB 2ED2410 3D 1BCD | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Power Management Function MOSFET Gate Driver | ||
For Use With Evaluation Mother/Daughterboards User Guide | ||
Kit Classification Evaluation Board | ||
Featured Device Gate Driver, Power MOSFET | ||
Kit Name EB 2ED2410 3D 1BCD | ||
EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V evaluation MOSFET daughterboard, common drain
This daughterboard belongs to a family of evaluation boards that can be combined with the 2ED2410-EM 24 V evaluation motherboard(EB 2ED2410 3M). These daughterboards are used to address different MOSFET and shunt arrangements typically found in modern automotive power distributions for 12 and 24 V board nets.
This daughterboard EB 2ED2410 3D 1BCD is addressing one load channel and consisting of two 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm) in a back2back common drain configuration.
This daughterboard EB 2ED2410 3D 1BCD is addressing one load channel and consisting of two 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm) in a back2back common drain configuration.
Following other daughterboards are available:
•EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common drain, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common drain, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
Summary of Features
•Suitable for 12 and 24 V board nets
•Combination with 2ED2410-EM 24 V evaluation motherboard (EB 2ED2410 3M)
•0,5 mOhm shunt resistor
•60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1,1 Ohm) suitable for 12 and 24 V board nets
•MOSFET temperature monitoring with NTC resistors
•Nominal current up to 20 A continuous or 30 A for 10 min
•Combination with 2ED2410-EM 24 V evaluation motherboard (EB 2ED2410 3M)
•0,5 mOhm shunt resistor
•60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1,1 Ohm) suitable for 12 and 24 V board nets
•MOSFET temperature monitoring with NTC resistors
•Nominal current up to 20 A continuous or 30 A for 10 min