Infineon EB 2ED2410 3M MOSFET Gate Driver for Gate Driver, Power MOSFET for Adjustable Wire Protection
- RS Stock No.:
- 273-2062
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- EB2ED24103MTOBO1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB3,407.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,645.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB3,407.08 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2062
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- EB2ED24103MTOBO1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Power Management Function | MOSFET Gate Driver | |
| For Use With | Adjustable Wire Protection | |
| Kit Classification | Evaluation Board | |
| Featured Device | Gate Driver, Power MOSFET | |
| Kit Name | EB 2ED2410 3M | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Power Management Function MOSFET Gate Driver | ||
For Use With Adjustable Wire Protection | ||
Kit Classification Evaluation Board | ||
Featured Device Gate Driver, Power MOSFET | ||
Kit Name EB 2ED2410 3M | ||
273-2062
This evaluation motherboard contains the ISO26262-ready 2ED2410-EM MOSFET gate driver with adjustable I-t wire protection for automotive power distribution with adjustable I-t wire protection. This board is suitable for 12 V and 24 V board nets and contains the OPTIREGTM TLE4296GV50 low drop voltage regulator for providing the 5 V digital supply voltage on this board. With the help of a push button the gate driver can be reset, e.g. from a Safestate mode back to Idle mode or On mode. This board can be used with different daughterboards, which have different OptiMOSTM5 power MOSFET arrangements with and without a dedicated pre-charge path intended for one load channel:
•EB 2ED2410 3D 1BCS:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common drain, 0.5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCSP:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
•EB 2ED2410 3D 1BCDP:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common drain, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
•EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common drain, 0.5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCSP:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
•EB 2ED2410 3D 1BCDP:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common drain, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging
Summary of Features
•Suitable for 12 and 24 V board nets
•Combination with different MOSFET plus shunt daughterboards
•Support of daughterboards with dedicated pre-charge path
•Overcurrent protection with adjustable thresholds
•Adjustable I-t wire protection
•Indicator LEDs
•RESET possibility
•Combination with different MOSFET plus shunt daughterboards
•Support of daughterboards with dedicated pre-charge path
•Overcurrent protection with adjustable thresholds
•Adjustable I-t wire protection
•Indicator LEDs
•RESET possibility
