Vishay BPW17N ±12 ° Visible, Near Infrared Radiation Phototransistor T-3/4 package
- RS Stock No.:
- 257-6823P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BPW17N
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในถุง)*
THB878.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB939.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,070 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 90 | THB17.569 |
| 100 - 240 | THB15.701 |
| 250 - 490 | THB15.376 |
| 500 + | THB12.071 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-6823P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BPW17N
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Spectrums Detected | Visible, Near Infrared Radiation | |
| Product Type | Phototransistor | |
| Typical Fall Time | 5μs | |
| Peak Wavelength | 825nm | |
| Typical Rise Time | 4.8μs | |
| Number of Channels | 1 | |
| Packaging | Bulk | |
| Maximum Light Current | 1mA | |
| Maximum Dark Current | 200nA | |
| Angle of Half Sensitivity | ±12 ° | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Package Type | T-3/4 | |
| Maximum Operating Temperature | 100°C | |
| Diameter | 1.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Directive 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC | |
| Collector Current | 50mA | |
| Collector Emitter Voltage | 32V | |
| Automotive Standard | No | |
| Emitter Collector Voltage | 5V | |
| Series | BPW17N | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Spectrums Detected Visible, Near Infrared Radiation | ||
Product Type Phototransistor | ||
Typical Fall Time 5μs | ||
Peak Wavelength 825nm | ||
Typical Rise Time 4.8μs | ||
Number of Channels 1 | ||
Packaging Bulk | ||
Maximum Light Current 1mA | ||
Maximum Dark Current 200nA | ||
Angle of Half Sensitivity ±12 ° | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Package Type T-3/4 | ||
Maximum Operating Temperature 100°C | ||
Diameter 1.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS Directive 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC | ||
Collector Current 50mA | ||
Collector Emitter Voltage 32V | ||
Automotive Standard No | ||
Emitter Collector Voltage 5V | ||
Series BPW17N | ||
The Vishay silicon NPN phototransistor with high radiant sensitivity in clear, T-3/4 plastic package with lens. It is sensitive to visible and near infrared radiation. On PCB this package size enables assembly of arrays with 2.54 mm pitch.
High photo sensitivity
High radiant sensitivity
Suitable for visible and near infrared radiation
Fast response times
Angle of half sensitivity: ϕ = ± 12°