OSI Optoelectronics UV-035EQ Ultraviolet Photodiode, 65 °, Through Hole TO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Photodiodes ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 5 ชิ้น)*

THB10,235.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,952.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
5 - 5THB2,047.19THB10,235.95
10 - 15THB2,002.152THB10,010.76
20 +THB1,959.162THB9,795.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
177-5573
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
UV-035EQ
ผู้ผลิต:
OSI Optoelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

OSI Optoelectronics

Spectrums Detected

Ultraviolet

Product Type

Photodiode

Wavelength of Peak Sensitivity

720nm

Package Type

TO-8

Packaging

Tape & Reel

Mount Type

Through Hole

Number of Pins

2

Minimum Wavelength Detected

320nm

Maximum Wavelength Detected

1100nm

Typical Fall Time

0.6ns

Amplified

No

Minimum Operating Temperature

-25°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Height

5.21mm

Width

5mm

Diameter

13.97mm

Angle of Half Sensitivity

65 °

Polarity

Reverse

Breakdown Voltage

30V

Dark Current

0.2nA

Typical Rise Time

0.6ns

Automotive Standard

No

OSI UV Enhanced Series Photodiodes


The UV Enhanced series, from OSI Optoelectronics, are a range of UV enhanced silicon photodiodes. This series includes two seperate families of photodiodes, inversion channel and planar diffused. Both of these families are designed for low noise detection in the UV region of the electromagnetic spectrum.

The inversion layer structure family exhibit 100% internal quantum efficiency. Offering high shunt resistance, low noise and high breakdown voltages, this family of photodiodes are idea for low intensity light measurements.

Photodiodes with the planar diffused structure offer a lower capacitance and higher response time compared to the inversion later family. They also show linearity of photocurrent up to higher light input power compared to the inversion layer photodiodes.

Suitable applications for the UV Enhanced series includes; pollution monitoring, medical instrumentation, UV exposure meters, spectroscopy, water purification and fluorescence.

Features of the UV Enhanced series:

Inversion layers or planar diffused silicon photodiodes

Excellent UV response

Photodiodes, OSI Optoelectronics


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง