IXYS X2-Class Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 917-1463P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXTH34N65X2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,552.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,730.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 324 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB319.03 |
| 16 + | THB314.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 917-1463P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXTH34N65X2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | X2-Class | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 96mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 540W | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 21.45mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.3mm | |
| Length | 16.24mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series X2-Class | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 96mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 540W | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 21.45mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.3mm | ||
Length 16.24mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series
The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
Very low RDS(on) and QG (gate charge)
Intrinsic rectifier diode
Low intrinsic gate resistance
Low package inductance
Industry standard packages
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS