Infineon Type N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V Enhancement, 15-Pin DirectFET IRF7749L1TRPBF
- RS Stock No.:
- 907-5205
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7749L1TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB536.992
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB574.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,832 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 996 | THB134.248 | THB536.99 |
| 1000 - 1996 | THB130.893 | THB523.57 |
| 2000 + | THB128.875 | THB515.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 907-5205
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7749L1TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 375A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 15 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 200nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 7.1 mm | |
| Height | 0.49mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 9.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 375A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 15 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 200nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 7.1 mm | ||
Height 0.49mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 9.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in Advanced switching applications.
Industry lowest on-resistance in their respective footprints
Extremely low package resistance to minimise conduction losses
Highly efficient dual-sided cooling significantly improves power density, cost and reliability
Low profile of only 0.7mm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 15-Pin DirectFET
- Infineon AUIRF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 15-Pin DirectFET
- Infineon AUIRF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 15-Pin DirectFET AUIRF8739L2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 15-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 15-Pin DirectFET IRF7779L2TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET IRL7472L1TRPBF
- Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
