Infineon DirectFET, HEXFET Type N-Channel MOSFET, 86 A, 60 V Enhancement, 4-Pin MN

RS Stock No.:: 168-5958
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6648TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon DirectFET, HEXFET Type N-Channel MOSFET, 86 A, 60 V Enhancement, 4-Pin MN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*

THB168,758.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB180,571.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4800 - 4800	THB35.158	THB168,758.40
9600 - 14400	THB34.103	THB163,694.40
19200 +	THB33.08	THB158,784.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-5958
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6648TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	86A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	DirectFET, HEXFET
	Package Type	MN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Power Dissipation Pd	89W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.35mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.05 mm
	Height	0.5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 86A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series DirectFET, HEXFET
	Package Type MN
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Power Dissipation Pd 89W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.35mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.05 mm
	Height 0.5mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in Advanced switching applications.

Industry lowest on-resistance in their respective footprints

Extremely low package resistance to minimise conduction losses

Highly efficient dual-sided cooling significantly improves power density, cost and reliability

Low profile of only 0.7mm

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon DirectFET, HEXFET Type N-Channel MOSFET, 86 A, 60 V Enhancement, 4-Pin MN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง